20 июня, 2021 
AdminGWP 
Нoвoe исслeдoвaниe пoкaзывaeт, кaк сдeлaть элeмeнты пaмяти aтoмaрнoй тoлщины и подступить к нeйрoмoрфным вычислeниям в oбъёмe прoцeссoрa. Тaким oбрaзoм учёныe нaшли вероятность создать искусственный синапс исполнение) решения задач подобно мыслительному процессу человека. Об эту пору для этого предлагается бездна вариантов и один из самых перспективных видится в сегнетоэлектриках. Сверху таких материалах уже планирование 20 выпускается память FeRAM.
В сериально выпускаемой памяти FeRAM переключающий штучка обычно выполнен из пьезокерамики, а не что иное цирконат-титаната свинца (PZT). Свойства материала экономить поляризацию даже после снятия внешнего управляющего сигнала — электромагнитного полина — придаёт памяти FeRAM её важнейшее натура энергонезависимости. Она сохраняет факты даже при отключённом питании. Чтобы имитации работы мозга — сие крайне важно. Но в нынешнем виде маточник FeRAM слишком крупная и «мозг» с её использованием хватит очень и очень большой.
Чтобы изготовления искусственных синапсов удобны тонкоплёночные структуры толщиной в одну каплю атомов — это даст малые размеры, высокую компактность и низкое энергопотребление. Выяснилось, что-нибудь довольно перспективным сегнетоэлектрическим материалом с целью тонкоплёночных искусственных синапсов является глинозем гафния (HfO2). Этот материал бесподобно осаждается из газовой среды с использованием современных методов создания тонкоплёночных структур с высокой точностью и около надёжным контролем. Температуры процессов создания плёнок совместимы с техпроцессами КМОП (CMOS) и безграмотный сожгут элементы чипа в процессе изготовления микросхем.
Нюансом быть разработке было то что-что сегнетоэлектрические свойства HfO2 относительно нестабильны, а добавка в к нему циркония (Zr) решила эту проблему. Тем самым сращивание оксид гафния-циркония (HZO) оказалось одним изо сильных кандидатов для изготовления памяти с использованием сегнетоэлектриков и обещает революцию в области вычислений памяти.
Основа
Опубликовано в рубрике